최근 인공지능(AI) 발전 속도가 빨라지면서 메모리 반도체의 중요성이 더 커지고 있다. 메모리 반도체 몸값이 그 어느 때보다 높아지면서 SK하이닉스가 큰 수혜를 보고 있다. SK하이닉스는 AI 시대라는 새로운 시기에 발맞춰 고객의 다변화된 요구 사항을 충족하는 명실상부한 글로벌 AI 메모리 선도 기업으로 자리 잡았다. 작년 매출 66조1930억원, 영업이익 23조4673억원이라는 연간 사상 최대 실적을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 생태계가 올해 더욱 격동할 것으로 예상되는 가운데, 현재 위치에 안주하지 않고 선제적 투자를 준비하며 미래 성장 기반을 다져나갈 계획”이라고 했다.
SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM(고대역폭 메모리)을 시장에 선보인 후, 꾸준히 세계 최고 수준의 HBM 신제품을 개발·양산하고 있다. 2022년 6월 세계 최초로 HBM3를 양산해 주요 고객사에 납품하며 HBM 분야 최고 경쟁력을 입증했다. 2023년 4월에는 2단 적층 HBM3를 세계 최초로 개발했고, 작년 3월엔 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아 등 대형 고객에게 납품했다. 이때부터 SK하이닉스의 독주는 시작됐다. 작년 9월엔 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산에 성공하며, 사실상 엔비디아 AI 가속기에 들어가는 HBM 대부분을 납품했다. 작년 11월에는 현존 최대 용량인 HBM3E 16단 제품의 개발을 공식화하며 또 한 번 압도적인 기술력을 증명했다. 신제품 HBM4 개발에서도 두각을 나타내고 있다. 올해 3월 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 제공했고, 지난 9월엔 세계 최초로 HBM4 12단 양산 체제를 구축했다고 밝혔다.
SK하이닉스는 또 다양한 파트너와 협력해 각 고객에 최적화된 맞춤형 AI 메모리를 개발하는 데 집중하고 있다. HBM4부터 TSMC와 협업을 강화해 기술 혁신을 이끌어 내겠다는 내용의 업무 협약을 체결했고, HBM4부터는 베이스 다이를 제작할 때 TSMC의 로직 선단 공정을 활용할 예정이다.
SK하이닉스는 적극적인 R&D를 통해 메모리 반도체 기술력을 키워나가고 있다. 작년 8월 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다. 올 9월에는 메모리 업계 최초로 ASML의 양산용 ‘High(하이) NA EUV’ 장비를 이천 M16팹(Fab)에 도입했다. SK하이닉스는 이 장비를 도입해 기존 EUV(극자외선) 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 계획이다.
낸드 플래시에서도 가시적인 성과를 올렸다. SK하이닉스는 작년 11월 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시 양산에 돌입했다. 올 5월에는 이를 적용한 모바일용 설루션 제품인 UFS 4.1 개발을 완료했고 올 8월엔 321단 QLC 낸드플래시 양산에도 착수했다. HBM, D램, 낸드플래시, 모바일용 칩까지 다양한 영역에 최고 제품을 내놓고 시장 수요에 대응하는 것이다.
SK하이닉스는 선제적 투자를 이어가고 있다. 경기도 용인 415만㎡ 부지에 신규 메모리 생산 기지인 반도체 클러스터를 조성하며 120조원 이상의 투자를 준비하고 있다. 최근 첫 번째 팹 착공에 돌입했고, 27년 5월 준공할 계획이다. 또 이천, 청주, 용인 세 지역을 삼각축으로, 세계 최고 메모리를 적기에 공급할 계획이다. 미국 인디애나주에도 첨단 후공정 패키징 공장을 지을 계획이다. 인디애나 팹에서는 빠르면 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다.