삼성전자는 18일 경기도 기흥캠퍼스에서 ‘차세대 반도체 R&D 단지’의 설비 반입식을 열었다. 20조원을 투자해 짓는 이곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리(반도체 위탁생산) 등 삼성전자 반도체 전 분야에 걸친 핵심 연구기지로 내년 중반 가동 예정이다. 삼성전자는 단계적으로 이곳에 네덜란드 ASML의 차세대 노광 장비 ‘하이 NA EUV’도 도입할 것으로 알려졌다.
이날 행사에는 반도체 부문을 총괄하는 전영현 DS부문장(부회장)을 비롯해 이정배 메모리사업부장과 최시영 파운드리사업부장, 박용인 시스템LSI사업부장 등 100여 명이 참석했다. 전영현 부회장은 “반도체 사업 50년을 맞이하는 삼성전자가 새로운 100년의 미래를 향해 재도약의 발판을 다지는 날”이라며 “삼성의 초격차 경쟁력을 다시 확보하기 위한 기술 경쟁력이 이곳에서 시작될 것”이라고 했다.
삼성전자는 1974년 한국반도체를 인수하며 반도체 사업을 시작했다. 특히 기흥캠퍼스는 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 고(故) 이병철 창업 회장은 1983년 2월 “일본이 할 수 있는 것은 우리도 할 수 있다”는 이른바 ‘2·8 도쿄 선언’을 발표하며 기흥캠퍼스를 건설했다. 이번에 전 부회장은 “최근 우리는 전례 없던 변화와 도전의 시기를 겪고 있지만 늘 그랬듯이 위기를 기회로 삼아 한 번 더 도약하겠다”며 “차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계를 확립해 반도체 개발 속도를 획기적으로 개선해 나가겠다”고 말했다.
삼성전자의 차세대 반도체 R&D 단지 부지는 10만9000㎡(약 3만3000평) 규모다. 삼성전자는 경쟁사에 비해 뒤처져 있다고 평가를 받는 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 메모리 연구·개발에 집중할 것으로 알려졌다. 전 부회장은 “최근 우리는 전례 없던 변화와 도전의 시기를 겪고 있지만 늘 그랬듯이 위기를 기회로 삼아 한 번 더 도약하겠다”며 “차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계를 확립해 반도체 개발 속도를 획기적으로 개선해 나가겠다”고 말했다.