SK하이닉스가 대만 TSMC와 손잡고 6세대 고대역폭메모리(HBM4)을 공동 개발하기로 했다. 현재 HBM 시장에서 엔비디아에 유일 납품하는 SK하이닉스가 차세대 시장에서도 우위를 놓치지 않겠다는 의도다. 차세대 HBM에서 대반격을 노리는 삼성전자와 기술 경쟁이 더 치열해질 전망이다.
SK하이닉스는 19일 대만 TSMC와 손잡고 HBM4를 개발해 2026년 양산할 계획을 밝혔다. 두 회사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서를 체결했고, 2026 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)을 개발한다는 계획이다.
HBM이 주로 쓰이는 AI칩 성능이 점점 고도화되면서, 전력 소모를 줄이고 데이터 병목현상을 줄이는 것이 최대 과제가 됐다. 한정된 공간 안에 D램을 더 높이, 촘촘하게 쌓는 것이 중요해진 것이다. 이를 위해 SK하이닉스가 첨단 패키징 분야 1위인 TSMC와 아예 HBM 개발까지 함께 한다는 것이다.
양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나서기로 했다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
SK하이닉스는 5세대 HBM(HBM3E)까지는 자체적으로 다이를 만들었으나, 차세대부터는 초미세공정 역할이 더 중요해지는 만큼 TSMC와 본격 손을 잡고 성능과 전력 효율을 끌어올린다는 전략이다. SK하이닉스는 “이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형(Customized) HBM을 생산하겠다”며 “고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 밝혔다.
이번 협력에 대해 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라고 했다. TSMC의 케빈 장 수석부사장은 “HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 열쇠가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것”이라고 했다.