삼성전자가 7일(한국 시각) 온라인으로 ‘삼성 파운드리 포럼 2021′을 열고 “내년 상반기 반도체 3나노 공정을 상용화하고, 오는 2025년 2나노 양산을 시작한다”고 밝혔다. 현재 반도체 성능을 좌우하는 미세 공정은 4나노까지 상용화됐는데 이보다 앞선 공정의 양산 계획을 발표한 것이다. 반도체는 나노미터(1nm는 10억분의 1m) 단위인 회로의 선폭이 좁을수록 저전력·고효율 칩을 만들 수 있어 기술 선점 경쟁이 치열하다. 현재 5나노 이하의 초미세 공정이 가능한 업체는 반도체 파운드리(위탁 생산) 1·2위 업체인 대만 TSMC와 삼성전자뿐이다.
삼성전자가 2나노 양산 일정을 공개한 것은 이번이 처음이다. 3나노 공정의 경우 당초 내년 하반기에 양산을 시작할 것으로 예상됐는데 이보다 빠른 내년 상반기에 상용화하겠다고 공식화했다. 반도체 업계 관계자는 “업계 1위인 TSMC가 최근 내년 상반기 3나노 양산을 선언하자 삼성도 고객사 확보를 위해 과감하게 양산 시점을 앞당긴 것으로 보인다”고 말했다. 이날 행사에는 500여 개 고객사와 협력 업체들이 참석했다.
삼성전자는 이날 내년 상반기에 시작되는 3나노 공정부터 독자 개발한 반도체 공정 기술인 GAA(게이트올어라운드)를 적용한다는 계획도 밝혔다. GAA는 반도체에서 누설되는 전류를 줄여 전력 효율을 높이는 기술이다. 삼성전자는 “GAA가 적용되면 3나노 공정으로 제작된 칩은 5나노 공정 대비 반도체 성능이 30% 향상되고 전력 소모는 50%, 제품 면적은 35% 줄어들 것”이라며 “현재 3나노 공정은 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산 준비가 순조롭게 진행되고 있다”고 밝혔다.
