|
주성엔지니어링 본사 반도체 연구소에서 진행된 조인식에서 주성과 싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실 책임자 조병진 교수는 초진공 선택적 에피텍셜층 성장장치(UHV SEG / Ultra Hign Vacuum Selective Epitaxial Growth)를 이용한 차세대 고성능 반도체 소자기술의 공동개발에 합의 하였다.
싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실은 2004년도에 실리콘 반도체 기술분야에 최고의 권위를 갖고 있는 최고학회인 IEDM 및 학술지 IEEE Electron Device Letters에 최다 연구논문을 발표한 대학 연구소로서 그 연구 능력을 전세계적으로 널리 인정 받은 바 있다.
반도체 소자의 크기가 30nm이하로 줄어들 경우, 기존의 소자 제조 기술에서는 전자의 이동속도의 포화현상으로 인하여 소자의 특성이 더 이상 개선되지 않는 한계에 도달하게 되는 문제가 발생되는데 이와 같은 한계를 극복하기 위하여 SEG기술을 이용하여 전자의 이동속도를 향상시키는 기술로 최근에 세계 각국의 비메모리칩(Logic Device)기술 선도 업체 등에서 집중적으로 연구되고 있다.
이번에 체결한 공동기술 개발은 나노급 소자(Nano Scale Transistor)에서의 전자의 이동속도를 300%이상 향상기킴으로써 30nm이하의 소자에서 한계에 도달한 현재의 기반기술을 극복할 수 있는 혁신적인 기술이 될 것으로 기대하고 있다고 회사측은 밝혔다.
주성은 증가되고 있는 차세대 장치 시장 선점을 위하여 전임직원의 60%에 해당되는 자체 연구인력이 연구개발에 주력하고 있음은 물론 국내외 대학 연구소와의 공동개발 등을 통한 차세대 장치 개발 및 마케팅 활동을 적극적으로 진행하고 있다.
- copyright (c) 2004 Newswire All rights reserved -
